1、程称为二极管的正向恢复过程，所需要的时间称为正向恢复时间。开通损耗可以近似表达为其中，为整流管的工作频率，为整流管正向电流，为整流管正向恢复最大电压。图二极管开关过程电压和电流的变化第二阶段二极管的稳定导通状态。此阶段内二极管的正向压降不变，假定为二极管从导通到反向截止这段时间内的平均电流，那么二极管的导通损耗可以表示为第三阶段二极管的关断效应。此阶段表征二极管由导通向截止状态的过渡。当二极管关断时，正向电流会迅速跳变至反向最大值，但其两端的压降只是缓慢电子科技大学硕士学位论文的下降，其后反向电流开始减小，二极管压降迅速下降至反向峰值电压，最后反向电流降低至漏电流，反向电压也相应降至反向截止的稳定电压，此过程称为二极管的反向恢复过程。二极管的反向恢复现象产生的根本原因是结电容的。

2、的仿真临界控制模式变换器的效率仿真准谐振模式变换器的效率仿真第六章总结致谢参考文献攻硕期间取得的研究成果第章绪论第章绪论照明的发展于年发现了电致发光现象，但是由于发光太暗并没有引起足够的重视。二十世纪五十年代，英国科学家用砷化镓代替碳化硅再次进行电致发光实验，发明了第个具有实用价值的。年，通用电器公司制作并发售了商用红光，虽然发光效率很低，只有约，而且价格昂贵，但其迅速应用于感应与光电领域。在随后的几十年间，由于对发光半导体材料研究的不断深入以及制作工艺水平的逐步提高，各种不同颜色，不同规格以及高亮度的得以涌现。相比于从前，当今的发光效率得到了极大的提升，发光颜色也更加全面，尤其是高亮度白光的发明，使的应用范围拓展到高光效光源市场，极大的推动了其发展。的发光是利用半导体结内电子与空穴复合时。

3、功率的规格书中可以得到。输出整流器的功率损耗输出整流器件般为肖特基二极管或超快速恢复二极管，对于效率要求不高的场合也可以使用普通的二极管。单个二极管的损耗表达为式中，指开通损耗，指导通损耗，指关断损耗，指漏电流损耗。假定用表示整流管的个数，因此总的输出整流损耗可以表示为为了更加深入的理解二极管各部分损耗的产生及数值大小，将二极管在开关过程中其电流和电压的变化过程作图如，各部分进行分段讨论。第阶段二极管开启效应。此阶段表征二极管由截止到稳定导通的特性。第二章开关电源的损耗及功率因素校正当二极管的正向电压小于阈值电压时，二极管处于截止状态，无正向电流产生当正向压降超过阈值电压时，二极管导通，正向电流开始上升。由于二极管的瞬时特性，正向电压有过冲，其后会缓慢的稳定到正向导通电压，此过。

4、电路的损耗输出滤波电容的损耗控制芯片的损耗提高开关电源效率的些技术准谐振技术同步整流技术有源钳位技术开关电源功率因数校正功率因数的定义功率因数校正技术第三章整体电路结构设计及功能实现驱动电路方案的选择单级反激式驱动电路整体结构应用拓扑结构芯片内部结构整体电路损耗分析恒流控制的实现功能的实现第四章部分子模块的设计与仿真谷底检测电路目录常见的谷底检测电路本文设计的谷底检测电路谷底检测电路的仿真与结果分析次级电感电流过零检测电路次级电感电流过零检测电路的设计次级电感电流过零检测电路的仿真与结果分析误差放大器电路误差放大器电路的设计误差放大器电路的仿真与结果分析栅驱动电路栅驱动电路的设计栅驱动电路的仿真与结果分析第五章整体电路的仿真与分析外围参数的设计整体电路功能仿真值仿真恒流特性仿真整体电路效率。

5、电流尖峰如果太大，将会产生很大的电流应力，有可能击穿功率，同时还会产生较大的电流干扰，带来问题另外，过大的瞬时开通电流尖峰还会给电流峰值采样模式的变换器带来检测问题，为了能够准确的检测出电流大小，需要更大的前沿消隐时间，这样将减小系统正常工作时的占空比。产生的损耗可以表示为寄生二极管损耗二极管正向压降损耗在些应用中，例如同步整流技术，会利用寄生体二极管进行截流，这时需要对寄生二极管正向导通时的损耗进行分析。计算式可以近似表达为其中，通过二极管平均电流，为二极管的正向导通压降，为每个周期内二极管正向导通时间。二极管反向恢复损耗寄生二极管反向恢复所造成的损耗可以近似用计算普通二极管反向恢复损耗的方法进行计算，表达式为其中，为寄生二极管的反向压降，为寄生二极管反向恢复电量，。

6、放电。正向导通时，由于电荷的存储效应，结边缘有少数载流子积累当施加反向电压时，二极管并不是立即截止，仍是保持在正偏状态，积累的少数截流子开始被抽取，当抽取完毕时，二极管进入到反偏状态，这段时间称为存储时间由于二极管的瞬时特性，进入反偏状态时二极管有个反向过冲电压，其后二极管的耗尽层电容开始充电，反向电压下降至外部所加的稳定值，电流下降至反向漏电流，这段时间称为下降时间。二极管总的反向恢复时间为储蓄时间和下降时间之和，其关断损耗可以近似表达为式中，为二极管反向恢复过程的电流平均值，如图的阴影部分。为反向恢复电流的温度系数，为外加反向电压，为反向恢复时间。第四阶段二极管稳定截止状态。二极管截止之后，由于有漏电流的存在，因此此阶段也会有功率损耗的产生，只是般情况下漏电流很小，此阶段损耗。

7、会将部分能量转换成光能而实现的。相较于传统的白炽灯和荧光灯，其光效更高，寿命也更长，而且在制作过程中由于不含有毒的重金属汞，电压从米勒平坦区增大到最大值。此区域内功率已完全打开，电容和继续充电，功率管的漏电流不变，漏端电压随导通电阻的减小而缓慢的减小，当栅电压达到最大值时，栅电容充电完成。结合上面的分析可以看出，功率管的开通损耗主要发生在和时间段内，满足关系功率的关断过程与导通过程恰好相反，在此不在赘述。相应的，功率的关断损耗主要发生在和时间段内，满足关系第二章开关电源的损耗及功率因素校正因此功率总的开关损耗为栅极驱动损耗般的，当电容上的电压发生改变时，其储蓄的电量也将发生变化。功率在导通和截止过程中栅电容上的电压在和之间变化，因此栅极上电荷也将会发生转移。。

8、正比例关系，可以近似表示为其中，为材料系数为常数，取值在之间。单位体积涡流损耗与磁通变化率成正比，工作频率并不是直接对其产生影响，而是通过影响而间接影响到涡流损耗，它们的关系可以近似表达为电子科技大学硕士学位论文论文题目单级反激式驱动电路效率的分析与研究学科专业微电子与固体电子学学号作者姓名张亮指导教师张国俊教授分类号密级注学位论文单级反激式驱动电路效率的分析与研究题名和副题名张亮作者姓名指导教师张国俊教授电子科技大学成都姓名职称单位名称申请学位级别硕士学科专业微电子与固体电子学提交论文日期论文答辩日期学位授予单位和日期电子科技大学年月日答辩委员会主席评阅人注注明国际十进分类法的类号。独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研。

9、个过程中所损失的能量称为功率的栅极驱动损耗。图给出了在最恶劣条件下，栅极电荷与栅极驱动电压之间的关系图例。由图可知，会影响平坦区的电荷量，因此也会影响到整个开关周期中总的电荷量。可以通过此图由得到，那么栅极驱动损耗可表示为式中是栅驱动电压所能达到的最大值，指开关频率。注意式中项，它表示驱动功率管栅极所需要的平均偏置电流。图栅极电荷和栅源电压的关系输出电容损耗当功率管关断时，电容会储蓄能量，并将在功率管开通过程中释放，由此带来的损耗称为输出电容损耗。越小，则消耗的能量越少，但是在功率关断过程中，漏电压的上升斜率将变大，容易产生问题。越大，上升斜率越小，特性较好，但是电容上消耗的能量变大，将增加功率管的损耗，同时在功率导通时会增大瞬时电流峰值。电子科技大学硕士学位论文功率管开通时的瞬时。

10、耗及功率因素校正其中，指波形系数，方波时典型值为，正弦波时典型值为，指磁芯截面积。由式可知，当磁性元件的以及电压定时，工作磁通量密度与线圈匝数之间成反比例关系。如果增加，将随之减少，将减小，而将增加反之，如果减小，则将随之增加，将增加，而减小。当时，总损耗最小。铜损耗磁芯损耗图工作磁通密度线圈匝数与铜耗磁芯损耗关系上面的讨论仅限于理想状态时的情况，在实际中，由于引发磁性元件产生损耗的原因十分复杂，其损耗的最小工作点至今还没有非常精确的数学模型能够描述，因此通常设计者通过分析计算将工作点设计在理想工作点的周围，以期达到减小损耗的目的。下面将分别对磁芯损耗和铜损耗进行介绍。磁芯损耗磁芯损耗包含磁滞损耗涡流损耗和剩余损耗三个部分。单位体积磁芯的随频率的增加而增加，并且与静态磁滞回线所包围的面积。

11、究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。作者签名日期年月日论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印缩印或扫描等复制手段保存汇编学位论文。保密的学位论文在解密后应遵守此规定作者签名导师签名日期年月日分类号密级注摘要摘要在中小功率的驱动领域，单级反激式变换器因结构简单，成本低廉而得到了广泛的应用。然而。

12、前三个阶段相比可以忽略。漏电流功耗可以表示如下变压器与输出电感的损耗开关电源微型化发展的过程中，变压器扼流圈以及谐振电感等磁性元件因为体积巨大而且笨重经常被作为首要优化的对象，设计者总是不懈追求于最大限度的提高磁性元件的功率密度。然而，由于磁性元件存在着损耗，在减小体积提高功率密度的同时，温度必然升高，进而影响到电源的安全与可靠性。因此分析研究磁性元件的损耗不仅对理解开关电源的效率有所帮助，而且对电源设计中成本体积与可靠性之间的折衷关系将有更深入的认识。磁性元件的损耗来源于它的两个组成部分磁芯和线圈，磁芯所造成的损耗称之为磁芯损耗，用表示线圈绕组所造成的损耗称之为铜损耗，用表示，它们的关系如图所示。由图可知，总损耗与工作磁通密度和线圈匝数有关。线圈电压表示为第二章开关电源的损。

参考资料：

[1]远离心脏病讲座宣传知识PPT（22页） 编号18060（第22页，发表于2022-06-24）

[2]远离心脏病讲座宣传知识PPT（22页） 编号18060（第22页，发表于2022-06-24）

[3]远离心脏病讲座宣传知识PPT（22页） 编号18060（第22页，发表于2022-06-24）

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[9]故事：狐假虎威（优） 编号18060（第11页，发表于2022-06-24）

[10]故事：狐假虎威（优） 编号18060（第11页，发表于2022-06-24）

[11]故事：狐假虎威（优） 编号18060（第11页，发表于2022-06-24）

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[17]绘本故事：啊哈！幼儿园（优） 编号198（第18页，发表于2022-06-24）

[18]绘本故事：啊哈！幼儿园（优） 编号18036（第18页，发表于2022-06-24）

[19]绘本故事：啊哈！幼儿园（优） 编号18060（第18页，发表于2022-06-24）

[20]绘本故事：啊哈！幼儿园（优） 编号17982（第18页，发表于2022-06-24）